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APTM20AM10FTG

APTM20AM10FTG

僅供參考

型號 APTM20AM10FTG
PNEDA編號 APTM20AM10FTG
描述 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20AM10FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20AM10FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20AM10FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)175A
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs224nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13700pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

372A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28900pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

360mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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