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APTM20DHM08G

APTM20DHM08G

僅供參考

型號 APTM20DHM08G
PNEDA編號 APTM20DHM08G
描述 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20DHM08G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20DHM08G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20DHM08G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)208A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

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