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APTM50AM38FTG

APTM50AM38FTG

僅供參考

型號 APTM50AM38FTG
PNEDA編號 APTM50AM38FTG
描述 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50AM38FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50AM38FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50AM38FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs246nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11200pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.01V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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