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APTM50DUM17G

APTM50DUM17G

僅供參考

型號 APTM50DUM17G
PNEDA編號 APTM50DUM17G
描述 MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DUM17G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DUM17G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50DUM17G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs560nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28000pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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