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APTM50H15FT1G

APTM50H15FT1G

僅供參考

型號 APTM50H15FT1G
PNEDA編號 APTM50H15FT1G
描述 MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50H15FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50H15FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM50H15FT1G, APTM50H15FT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 143.08 KB)
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APTM50H15FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs170nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5448pF @ 25V
功率-最大208W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

290A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 145A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1440nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

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