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APTM50HM38FG

APTM50HM38FG

僅供參考

型號 APTM50HM38FG
PNEDA編號 APTM50HM38FG
描述 MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50HM38FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50HM38FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50HM38FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs246nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11200pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 20V

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2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

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