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APTM50HM65FTG

APTM50HM65FTG

僅供參考

型號 APTM50HM65FTG
PNEDA編號 APTM50HM65FTG
描述 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50HM65FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50HM65FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50HM65FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)51A
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

33V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 480µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 300mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

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