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APTMC120AM12CT3AG

APTMC120AM12CT3AG

僅供參考

型號 APTMC120AM12CT3AG
PNEDA編號 APTMC120AM12CT3AG
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC120AM12CT3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC120AM12CT3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC120AM12CT3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N Channel (Phase Leg)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)220A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 150A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs483nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8400pF @ 1000V
功率-最大925W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.87nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30.3pF @ 15V

功率-最大

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