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APTMC120TAM34CT3AG

APTMC120TAM34CT3AG

僅供參考

型號 APTMC120TAM34CT3AG
PNEDA編號 APTMC120TAM34CT3AG
描述 POWER MODULE - SIC MOSFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC120TAM34CT3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC120TAM34CT3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC120TAM34CT3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)74A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 15mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs161nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2788pF @ 1000V
功率-最大375W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

功率-最大

1.5W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7700pF @ 25V

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15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

240mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.05V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14.1pF @ 15V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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