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APTML100U60R020T1AG

APTML100U60R020T1AG

僅供參考

型號 APTML100U60R020T1AG
PNEDA編號 APTML100U60R020T1AG
描述 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTML100U60R020T1AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTML100U60R020T1AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTML100U60R020T1AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs720mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP1
包裝/箱SP1

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6780pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

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Vgs(最大)

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