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AS3PJHM3/86A

AS3PJHM3/86A

僅供參考

型號 AS3PJHM3/86A
PNEDA編號 AS3PJHM3-86A
描述 DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS3PJHM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS3PJHM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
AS3PJHM3/86A, AS3PJHM3/86A數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.21 KB)
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AS3PJHM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2.1A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F37pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1800V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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