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AS4C128M16D3A-12BAN

AS4C128M16D3A-12BAN

僅供參考

型號 AS4C128M16D3A-12BAN
PNEDA編號 AS4C128M16D3A-12BAN
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M16D3A-12BAN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M16D3A-12BAN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M16D3A-12BAN, AS4C128M16D3A-12BAN數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,959.41 KB)
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AS4C128M16D3A-12BAN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100µs, 10ms

訪問時間

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