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AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

僅供參考

型號 AS4C128M8D3B-12BCN
PNEDA編號 AS4C128M8D3B-12BCN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M8D3B-12BCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M8D3B-12BCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M8D3B-12BCN, AS4C128M8D3B-12BCN數據表 (總頁數: 85, 大小: 2,025.86 KB)
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AS4C128M8D3B-12BCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-FBGA

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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