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AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

僅供參考

型號 AS4C256M16D3-12BINTR
PNEDA編號 AS4C256M16D3-12BINTR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 13 - 二月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M16D3-12BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M16D3-12BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M16D3-12BINTR, AS4C256M16D3-12BINTR數據表 (總頁數: 83, 大小: 2,077.86 KB)
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AS4C256M16D3-12BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (9x13)

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

16Gb (4G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

78-FBGA (9.5x13)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

63-VFBGA (9x11)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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