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AS4C256M16D3B-12BIN

AS4C256M16D3B-12BIN AS4C256M16D3B-12BIN

僅供參考

型號 AS4C256M16D3B-12BIN
PNEDA編號 AS4C256M16D3B-12BIN
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 17,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M16D3B-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M16D3B-12BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M16D3B-12BIN, AS4C256M16D3B-12BIN數據表 (總頁數: 41, 大小: 1,918.17 KB)
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AS4C256M16D3B-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (13.5x9)

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

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電壓-供電

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

384Gb (48G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

MT29F32G08CBADAWP-M:D

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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