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AS4C2M32D1-5BIN

AS4C2M32D1-5BIN

僅供參考

型號 AS4C2M32D1-5BIN
PNEDA編號 AS4C2M32D1-5BIN
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C2M32D1-5BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C2M32D1-5BIN
類別半導體內存IC內存

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AS4C2M32D1-5BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝144-BGA

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

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內存大小

256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Everspin Technologies Inc.

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內存接口

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35ns

訪問時間

35ns

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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