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AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

僅供參考

型號 AS4C32M16SB-6TINTR
PNEDA編號 AS4C32M16SB-6TINTR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M16SB-6TINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M16SB-6TINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C32M16SB-6TINTR, AS4C32M16SB-6TINTR數據表 (總頁數: 55, 大小: 1,267.1 KB)
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AS4C32M16SB-6TINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁12ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP-J

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制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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