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AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

僅供參考

型號 AS4C32M32MD1-5BIN
PNEDA編號 AS4C32M32MD1-5BIN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M32MD1-5BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M32MD1-5BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C32M32MD1-5BIN, AS4C32M32MD1-5BIN數據表 (總頁數: 43, 大小: 1,255.09 KB)
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AS4C32M32MD1-5BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小1Gb (32M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-FBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

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0°C ~ 70°C (TA)

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