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AS4C512M8D3A-12BIN

AS4C512M8D3A-12BIN

僅供參考

型號 AS4C512M8D3A-12BIN
PNEDA編號 AS4C512M8D3A-12BIN
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C512M8D3A-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C512M8D3A-12BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C512M8D3A-12BIN, AS4C512M8D3A-12BIN數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,987.01 KB)
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AS4C512M8D3A-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Through Hole

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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