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AS4C512M8D3B-12BIN

AS4C512M8D3B-12BIN

僅供參考

型號 AS4C512M8D3B-12BIN
PNEDA編號 AS4C512M8D3B-12BIN
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C512M8D3B-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C512M8D3B-12BIN
類別半導體內存IC內存

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AS4C512M8D3B-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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