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AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

僅供參考

型號 AS4C64M16D1-6TINTR
PNEDA編號 AS4C64M16D1-6TINTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D1-6TINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D1-6TINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16D1-6TINTR, AS4C64M16D1-6TINTR數據表 (總頁數: 61, 大小: 5,699.35 KB)
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AS4C64M16D1-6TINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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Volatile

內存格式

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

32Gb (1G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1.066GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

96ns

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

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-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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