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AS4C64M16D3B-12BIN

AS4C64M16D3B-12BIN

僅供參考

型號 AS4C64M16D3B-12BIN
PNEDA編號 AS4C64M16D3B-12BIN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D3B-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D3B-12BIN
類別半導體內存IC內存

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AS4C64M16D3B-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (9x13)

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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供應商設備包裝

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256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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