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AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

僅供參考

型號 AS4C64M32MD1-5BINTR
PNEDA編號 AS4C64M32MD1-5BINTR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M32MD1-5BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M32MD1-5BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M32MD1-5BINTR, AS4C64M32MD1-5BINTR數據表 (總頁數: 43, 大小: 1,809.19 KB)
PDFAS4C64M32MD1-5BINTR數據表 封面
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AS4C64M32MD1-5BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小2Gb (64M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-FBGA (8x13)

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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56-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

650ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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