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AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

僅供參考

型號 AS4C8M16D1-5TCN
PNEDA編號 AS4C8M16D1-5TCN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16D1-5TCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16D1-5TCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16D1-5TCN, AS4C8M16D1-5TCN數據表 (總頁數: 65, 大小: 1,231.6 KB)
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AS4C8M16D1-5TCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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