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AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

僅供參考

型號 AS4C8M16S-6BIN
PNEDA編號 AS4C8M16S-6BIN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 7 - 二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-6BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-6BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-6BIN, AS4C8M16S-6BIN數據表 (總頁數: 55, 大小: 568.13 KB)
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  • AS4C8M16S-6BIN Distributor

AS4C8M16S-6BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

8Gb (128M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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-

內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Gb (512M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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