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AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

僅供參考

型號 AS4C8M16S-6BIN
PNEDA編號 AS4C8M16S-6BIN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-6BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-6BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-6BIN, AS4C8M16S-6BIN數據表 (總頁數: 55, 大小: 568.13 KB)
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AS4C8M16S-6BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

2Mb (128K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

128-LQFP

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