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AS4C8M16S-6TIN

AS4C8M16S-6TIN

僅供參考

型號 AS4C8M16S-6TIN
PNEDA編號 AS4C8M16S-6TIN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-6TIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-6TIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-6TIN, AS4C8M16S-6TIN數據表 (總頁數: 52, 大小: 2,794.92 KB)
PDFAS4C8M16S-6TCN數據表 封面
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AS4C8M16S-6TIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (2M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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