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AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

僅供參考

型號 AS4C8M32S-6TINTR
PNEDA編號 AS4C8M32S-6TINTR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M32S-6TINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M32S-6TINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M32S-6TINTR, AS4C8M32S-6TINTR數據表 (總頁數: 54, 大小: 1,843.79 KB)
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AS4C8M32S-6TINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

120ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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