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AS6C1008-55SINLTR

AS6C1008-55SINLTR

僅供參考

型號 AS6C1008-55SINLTR
PNEDA編號 AS6C1008-55SINLTR
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C1008-55SINLTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C1008-55SINLTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C1008-55SINLTR, AS6C1008-55SINLTR數據表 (總頁數: 14, 大小: 743.84 KB)
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AS6C1008-55SINLTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
供應商設備包裝32-SOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40ns

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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