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AS6C1008-55TINLTR

AS6C1008-55TINLTR

僅供參考

型號 AS6C1008-55TINLTR
PNEDA編號 AS6C1008-55TINLTR
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C1008-55TINLTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C1008-55TINLTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C1008-55TINLTR, AS6C1008-55TINLTR數據表 (總頁數: 14, 大小: 743.84 KB)
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AS6C1008-55TINLTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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