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AS6C6416-55BINTR

AS6C6416-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C6416-55BINTR
PNEDA編號 AS6C6416-55BINTR
描述 IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C6416-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C6416-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C6416-55BINTR, AS6C6416-55BINTR數據表 (總頁數: 11, 大小: 693.36 KB)
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AS6C6416-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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