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AS6C8016-55ZIN

AS6C8016-55ZIN

僅供參考

型號 AS6C8016-55ZIN
PNEDA編號 AS6C8016-55ZIN
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 13,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C8016-55ZIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C8016-55ZIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C8016-55ZIN, AS6C8016-55ZIN數據表 (總頁數: 12, 大小: 736.6 KB)
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AS6C8016-55ZIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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400ps

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

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-40°C ~ 85°C (TA)

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