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AS7C316096B-10BIN

AS7C316096B-10BIN

僅供參考

型號 AS7C316096B-10BIN
PNEDA編號 AS7C316096B-10BIN
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS7C316096B-10BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS7C316096B-10BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS7C316096B-10BIN, AS7C316096B-10BIN數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,316.65 KB)
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AS7C316096B-10BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

8ms

訪問時間

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電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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8-TSSOP

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