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AS7C325632-10BINTR

AS7C325632-10BINTR

僅供參考

型號 AS7C325632-10BINTR
PNEDA編號 AS7C325632-10BINTR
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS7C325632-10BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS7C325632-10BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS7C325632-10BINTR, AS7C325632-10BINTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,266.81 KB)
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AS7C325632-10BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

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