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AT-42010

AT-42010

僅供參考

型號 AT-42010
PNEDA編號 AT-42010
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
制造商 Broadcom
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT-42010資源

品牌 Broadcom
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT-42010
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
AT-42010, AT-42010數據表 (總頁數: 5, 大小: 140.13 KB)
PDFAT-42010數據表 封面
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AT-42010規格

制造商Broadcom Limited
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益10dB ~ 13.5dB
功率-最大600mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 35mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD (100 mil)
供應商設備包裝-

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1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 10A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M177

供應商設備包裝

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KSC1393YTA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 24dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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