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AT21CS01-UUM0B-T

AT21CS01-UUM0B-T

僅供參考

型號 AT21CS01-UUM0B-T
PNEDA編號 AT21CS01-UUM0B-T
描述 IC EEPROM 1K I2C 125KHZ 4WLCSP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT21CS01-UUM0B-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT21CS01-UUM0B-T
類別半導體內存IC內存

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AT21CS01-UUM0B-T規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口I²C, Single Wire
時鐘頻率125kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-XFBGA
供應商設備包裝4-WLCSP (2x2)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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工作溫度

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