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AT25128B-SSPDGV-T

AT25128B-SSPDGV-T

僅供參考

型號 AT25128B-SSPDGV-T
PNEDA編號 AT25128B-SSPDGV-T
描述 5MHZ A-TMP 8-SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT25128B-SSPDGV-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT25128B-SSPDGV-T
類別半導體內存IC內存

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AT25128B-SSPDGV-T規格

制造商Microchip Technology
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

86-TSOP II

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

68-PGA (29.46x29.46)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

3Tb (384G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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