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AT25160B-MAPDGV-T

AT25160B-MAPDGV-T

僅供參考

型號 AT25160B-MAPDGV-T
PNEDA編號 AT25160B-MAPDGV-T
描述 5MHZ AUTO GRADE1 8-UDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT25160B-MAPDGV-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT25160B-MAPDGV-T
類別半導體內存IC內存

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AT25160B-MAPDGV-T規格

制造商Microchip Technology
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-UDFN (2x3)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-DFN (2x3)

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

供應商設備包裝

28-SOJ

CG8098AA

Cypress Semiconductor

制造商

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系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

CY7C1513TV18-250BZC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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