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AT25160B-TH-B

AT25160B-TH-B

僅供參考

型號 AT25160B-TH-B
PNEDA編號 AT25160B-TH-B
描述 IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8TSSOP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT25160B-TH-B資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT25160B-TH-B
類別半導體內存IC內存
數據表
AT25160B-TH-B, AT25160B-TH-B數據表 (總頁數: 22, 大小: 571.27 KB)
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AT25160B-TH-B規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存接口

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時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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8Kb (1K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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