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AT28BV16-30SI

AT28BV16-30SI

僅供參考

型號 AT28BV16-30SI
PNEDA編號 AT28BV16-30SI
描述 IC EEPROM 16K PARALLEL 24SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT28BV16-30SI資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT28BV16-30SI
類別半導體內存IC內存
數據表
AT28BV16-30SI, AT28BV16-30SI數據表 (總頁數: 12, 大小: 112.67 KB)
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AT28BV16-30SI規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁3ms
訪問時間300ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝24-SOIC

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時鐘頻率

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訪問時間

150ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

896b (112 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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訪問時間

70ns

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