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AT29C020-90PC

AT29C020-90PC

僅供參考

型號 AT29C020-90PC
PNEDA編號 AT29C020-90PC
描述 IC FLASH 2M PARALLEL 32DIP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT29C020-90PC資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT29C020-90PC
類別半導體內存IC內存
數據表
AT29C020-90PC, AT29C020-90PC數據表 (總頁數: 17, 大小: 244.41 KB)
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AT29C020-90PC規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ms
訪問時間90ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TC)
安裝類型Through Hole
包裝/箱32-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝32-PDIP

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

128-LQFP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-FBGA (10x12.5)

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor Corp

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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