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AT45DB021E-SSHN-T

AT45DB021E-SSHN-T

僅供參考

型號 AT45DB021E-SSHN-T
PNEDA編號 AT45DB021E-SSHN-T
描述 IC FLASH 2M SPI 70MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 5,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DB021E-SSHN-T資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DB021E-SSHN-T
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DB021E-SSHN-T, AT45DB021E-SSHN-T數據表 (總頁數: 68, 大小: 2,490.34 KB)
PDFAT45DB021E-UUN2B-T數據表 封面
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AT45DB021E-SSHN-T規格

制造商Adesto Technologies
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (264 Bytes x 1024 pages)
內存接口SPI
時鐘頻率70MHz
寫周期-字,頁8µs, 3ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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Adesto Technologies

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

7005S17PFI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

17ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

CY7C09369V-6AXCT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

288Kb (16K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

CY62147GN30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

S29GL512P11TFI020D

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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