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ATP602-TL-H

ATP602-TL-H

僅供參考

型號 ATP602-TL-H
PNEDA編號 ATP602-TL-H
描述 MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATP602-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATP602-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ATP602-TL-H, ATP602-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 349.26 KB)
PDFATP602-TL-H數據表 封面
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ATP602-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱ATPAK (2 leads+tab)

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FET類型

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

EMT3F (SOT-416FL)

包裝/箱

SC-89, SOT-490

2N6770

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3

包裝/箱

TO-204AE

TK60D08J1(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5450pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4555pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MPZ2012S300AT000

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