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ATSAM3S1BA-MU

ATSAM3S1BA-MU

僅供參考

型號 ATSAM3S1BA-MU
PNEDA編號 ATSAM3S1BA-MU
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64QFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATSAM3S1BA-MU資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATSAM3S1BA-MU
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
ATSAM3S1BA-MU, ATSAM3S1BA-MU數據表 (總頁數: 64, 大小: 1,811.99 KB)
PDFATSAM3S1CA-CUR數據表 封面
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ATSAM3S1BA-MU規格

制造商Microchip Technology
系列SAM3S
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度64MHz
連接性I²C, MMC, SPI, SSC, UART/USART, USB
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT
I / O數量47
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小16K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.62V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 10x10/12b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-VFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝64-QFN (9x9)

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連接性

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT

I / O數量

16

程序存儲器大小

16KB (8K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

3.8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 10x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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I / O數量

62

程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

RAM大小

64K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.71V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 1x12b; D/A 2x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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連接性

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外圍設備

DMA, POR, PWM, WDT

I / O數量

57

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8.25K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.8V

數據轉換器

A/D 16x10b/12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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外圍設備

DMA, I²S, POR, PWM, WDT

I / O數量

36

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 1x12b, 3x16b; D/A 3x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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