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AUIRF7303Q

AUIRF7303Q

僅供參考

型號 AUIRF7303Q
PNEDA編號 AUIRF7303Q
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7303Q資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7303Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
AUIRF7303Q, AUIRF7303Q數據表 (總頁數: 8, 大小: 578.15 KB)
PDFAUIRF7303Q數據表 封面
AUIRF7303Q數據表 頁面 2 AUIRF7303Q數據表 頁面 3 AUIRF7303Q數據表 頁面 4 AUIRF7303Q數據表 頁面 5 AUIRF7303Q數據表 頁面 6 AUIRF7303Q數據表 頁面 7 AUIRF7303Q數據表 頁面 8

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AUIRF7303Q規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds515pF @ 25V
功率-最大2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V, 50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA, 130mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 6V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 40V

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