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AUIRF7341Q

AUIRF7341Q

僅供參考

型號 AUIRF7341Q
PNEDA編號 AUIRF7341Q
描述 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7341Q資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7341Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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AUIRF7341Q規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 25V
功率-最大2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

713pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1984pF @ 6V

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