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AUIRF7484QTR

AUIRF7484QTR

僅供參考

型號 AUIRF7484QTR
PNEDA編號 AUIRF7484QTR
描述 MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7484QTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7484QTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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AUIRF7484QTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 14A, 7V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 7V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3520pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2293pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

138W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.9mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 83µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4320pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

386pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

720mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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