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AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR

僅供參考

型號 AUIRFN8458TR
PNEDA編號 AUIRFN8458TR
描述 MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRFN8458TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRFN8458TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
AUIRFN8458TR, AUIRFN8458TR數據表 (總頁數: 10, 大小: 735.48 KB)
PDFAUIRFN8458TR數據表 封面
AUIRFN8458TR數據表 頁面 2 AUIRFN8458TR數據表 頁面 3 AUIRFN8458TR數據表 頁面 4 AUIRFN8458TR數據表 頁面 5 AUIRFN8458TR數據表 頁面 6 AUIRFN8458TR數據表 頁面 7 AUIRFN8458TR數據表 頁面 8 AUIRFN8458TR數據表 頁面 9 AUIRFN8458TR數據表 頁面 10

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AUIRFN8458TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)43A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1060pF @ 25V
功率-最大34W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PQFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2940pF @ 25V

功率-最大

65W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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