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AUIRFP4310Z

AUIRFP4310Z

僅供參考

型號 AUIRFP4310Z
PNEDA編號 AUIRFP4310Z
描述 MOSFET NCH 100V 128A TO247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRFP4310Z資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRFP4310Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AUIRFP4310Z, AUIRFP4310Z數據表 (總頁數: 9, 大小: 676.67 KB)
PDFAUIRFP4310Z數據表 封面
AUIRFP4310Z數據表 頁面 2 AUIRFP4310Z數據表 頁面 3 AUIRFP4310Z數據表 頁面 4 AUIRFP4310Z數據表 頁面 5 AUIRFP4310Z數據表 頁面 6 AUIRFP4310Z數據表 頁面 7 AUIRFP4310Z數據表 頁面 8 AUIRFP4310Z數據表 頁面 9

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AUIRFP4310Z規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)128A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs188nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7120pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)278W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AC
包裝/箱TO-247-3

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1385pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9700pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1.2A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

231pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

53W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 8V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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