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B772-R-TP

B772-R-TP

僅供參考

型號 B772-R-TP
PNEDA編號 B772-R-TP
描述 TRANS PNP DPAK
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

B772-R-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號B772-R-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
B772-R-TP, B772-R-TP數據表 (總頁數: 2, 大小: 177.54 KB)
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B772-R-TP數據表 頁面 2

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B772-R-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 1A, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

145MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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制造商

Sanken

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

550V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5A, 4V

功率-最大

120W

頻率-過渡

6MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 4V

功率-最大

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工作溫度

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