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BAS116H,115

BAS116H,115

僅供參考

型號 BAS116H,115
PNEDA編號 BAS116H-115
描述 DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F
制造商 Nexperia
單價
1 ---------- $41.4081
100 ---------- $39.4671
250 ---------- $37.5261
500 ---------- $35.5851
750 ---------- $33.9676
1,000 ---------- $32.3501
庫存 34,731
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS116H資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS116H,115
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS116H, BAS116H數據表 (總頁數: 10, 大小: 799.63 KB)
PDFBAS116H數據表 封面
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BAS116H規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)215mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5nA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝SOD-123F
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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350V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 350V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 15V

電容@ Vr,F

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75V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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